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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2050
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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