Comparaison de la RAM Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Note globale

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.4 9.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.5 7.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

34 35

Autour de -3% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2321 2050

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns