Comparação RAM Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Pontuação geral

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.4 9.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.5 7.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

34 35

Por volta de -3% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2321 2050

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns