Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    34 left arrow 64
    Intorno -88% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 5.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.6 left arrow 4.3
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    64 left arrow 34
  • Velocità di lettura, GB/s
    5.7 left arrow 9.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    4.3 left arrow 7.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1317 left arrow 2050
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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