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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Confronto
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
64
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.6
5.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
4.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
64
34
Velocità di lettura, GB/s
5.7
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
4.3
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1317
2050
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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