RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3737
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link