RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2580
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link