RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB vs Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2580
2764
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link