RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB против Samsung 1600 CL10 Series 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
39
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
39
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2580
2764
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link