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G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB vs Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
14.7
16.1
写入速度,GB/s
9.2
10.1
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2580
2764
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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