RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3737
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link