RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3478
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link