RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 50
    Около -108% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 1,457.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    50 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,757.3 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,457.4 left arrow 12.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    557 left arrow 2925

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM

Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
модули RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
модули RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
модули RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
модули RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
модули RAM
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
модули RAM