RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 50
    Около -108% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 1,457.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    50 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,757.3 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,457.4 left arrow 12.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    557 left arrow 2925

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM

Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
модули RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
модули RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
модули RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
модули RAM