RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2925
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link