RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2925
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link