Confronto tra le RAM takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 50

Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.5 1,457.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

557 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns