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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
50
Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2925
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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