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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
77
Autour de 35% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,279.6
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
50
77
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
3,872.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
2,279.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
713
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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