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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
77
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,279.6
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
50
77
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
3,872.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
2,279.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
713
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
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