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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
49
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
49
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
2413
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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