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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
49
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
49
Velocità di lettura, GB/s
13.9
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2385
2413
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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