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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
77
Por volta de 35% menor latência
Razões a considerar
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,279.6
1,457.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
50
77
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
3,872.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
2,279.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
6400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
713
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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