RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.8
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
19.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3364
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link