RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
2330
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link