RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
26
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3427
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link