RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3427
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link