RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3656
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link