RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB против Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Средняя оценка
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1917
2379
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link