Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB против Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 95
    Около -217% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.8 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    95 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.8 left arrow 12.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 7.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1518 left arrow 1917
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения