RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2588
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link