RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2588
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link