RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Porównaj
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB vs Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
95
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
95
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
12800
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1518
1917
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link