Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB vs Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Puntuación global
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 12.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 95
    En -217% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    95 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 12.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.3 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1518 left arrow 1917
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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