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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
比较
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB vs Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
95
左右 -217% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR3
PassMark中的延时,ns
95
30
读取速度,GB/s
15.8
12.5
写入速度,GB/s
7.3
7.8
内存带宽,mbps
19200
12800
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1518
1917
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB RAM的比较
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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