RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
50
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
16.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3478
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link