RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2427
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link