RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
42
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2427
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link