RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link