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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
1,950.7
1,905.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
58
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
58
50
读取速度,GB/s
4,241.0
5,143.3
写入速度,GB/s
1,950.7
1,905.1
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
855
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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