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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.4
17.2
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3035
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
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