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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
41
读取速度,GB/s
16.1
13.1
写入速度,GB/s
10.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2395
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
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