RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2283
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link