RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
14900
12800
Autour de 1.16 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
8.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
5.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
14900
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
1409
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link