Comparaison de la RAM Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Note globale

Kingston K531R8-MIN 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 32

Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.4 8.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.0 5.2

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

14900 12800

Autour de 1.16 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Kingston K531R8-MIN 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2445 1409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns