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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
14900
Autour de 1.72% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
38
Autour de -19% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
38
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
8.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
5.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
14900
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
1409
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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