RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
14900
Около 1.72% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
38
Около -19% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
38
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
8.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
14900
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1409
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link