Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 5.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 14900
    Около 1.72% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 38
    Около -19% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    38 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.5 left arrow 8.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.0 left arrow 5.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 14900
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2283 left arrow 1409
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения