RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
2829
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link