A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

总分
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

总分
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takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    46 left arrow 60
    左右 23% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,061.2 left arrow 1,221.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    6400 left arrow 5300
    左右 1.21% 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 60
  • 读取速度,GB/s
    4,937.3 left arrow 2,347.9
  • 写入速度,GB/s
    2,061.2 left arrow 1,221.8
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    759 left arrow 421
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