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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
60
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
1,221.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
46
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
2,347.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
1,221.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
421
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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