RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
60
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
1,221.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
46
60
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
2,347.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
1,221.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
5300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
421
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link