RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3110
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link