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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.3
17.1
写入速度,GB/s
8.0
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3110
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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