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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
66
读取速度,GB/s
12.7
15.1
写入速度,GB/s
7.5
7.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1820
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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